سامسونج تؤكد ريادتها في مجال التكنولوجيا بإعلانها عن إنتاج ذاكرة وصول عشوائي (RAM) بسرعات فائقة

أكدت سامسونج ريادتها في سوق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) ببدء الإنتاج الضخم لذاكرة DDR5 بسعة 16 جيجابايت بتقنية 12 نانومتر. تتميز وحدات الذاكرة هذه بسرعات فائقة وميزات أمان عالية. وتؤكد سامسونج أن الرقاقات الجديدة المُنتجة بهذه التقنية تُقلل استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 25% مقارنةً بالجيل السابق، مع زيادة إنتاجية الرقاقات بنسبة تصل إلى 20%. علاوة على ذلك، ستدعم هذه الرقاقات الحديثة سرعات تصل إلى 7200 ميجابت في الثانية !

وفي حديثه عن هذا الإنجاز الصناعي، قال جويونج لي ، المدير التنفيذي لمنتجات وتكنولوجيا ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) في سامسونج: "لقد مكّن استخدام تقنية معالجة مختلفة سامسونج من تقديم شرائح ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5 بتقنية 12 نانومتر، والتي تتميز بالأداء وكفاءة الطاقة". ومع ذلك، سيتعين على المستهلكين العاديين الانتظار قبل استخدام ذاكرة الوصول العشوائي DDR5 الجديدة، حيث تُستخدم في برامج مثل مراكز البيانات، والذكاء الاصطناعي، وبرمجة الجيل التالي.

أوضحت سامسونج أن تطوير ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بتقنية 12 نانومتر أصبح ممكنًا بفضل استخدام ذاكرة عالية الكفاءة ومواد جديدة، بالإضافة إلى الجهود المبذولة لتقليل جهد التشغيل والضوضاء للوصول إلى حل مُحسّن. وبينما تظل سعة رقائق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) بسعة 16 جيجابايت كما هي، فإن فوائدها المتوقعة تكمن في كفاءة الطاقة والسرعة والفعالية من حيث التكلفة. وكشفت سامسونج أن ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5 بتقنية 12 نانومتر تُقلل استهلاك الطاقة بنسبة 23% مقارنةً بالجيل السابق، وتُعزز إنتاجية الشريحة بنسبة تصل إلى 20% .

ستأتي ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) مزودة بتقنية ODECC (رمز تصحيح الأخطاء عند الطلب)، المُستخدمة في ذاكرة DDR5 للحفاظ على موثوقية البيانات واستقرارها، وضمان أقصى أداء. تُزيل تقنية ODECC أخطاء البت الواحد بشكل أساسي، مما يُحسّن الموثوقية حتى مع متطلبات البيانات الضخمة.

بفضل سرعاتها البالغة 7200 ميجابت في الثانية، تُعدّ ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية هذه ميزةً مهمة، وقد أشارت سامسونج إلى أن هذه السرعة تسمح نظريًا بنقل فيلمين فائقي الوضوح (UHD) بحجم 30 جيجابايت في ثانية واحدة فقط . مع ذلك، لم تُحدد الشركة ما إذا كانت هذه السرعة هي نفسها تلك المُروّج لها في الجيل السابق من رقائق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بتقنية 14 نانومتر ، لذا قد تكون هناك إمكانية لزيادة السرعة من خلال رفع تردد التشغيل.

أكدت سامسونج أنها اختبرت وتأكدت من توافق ذاكرة DDR5 DRAM الجديدة بتقنية 12 نانومتر وسعة 16 جيجابايت مع أنظمة AMD بعد اختبارات توافق شاملة. كما تعمل الشركة بشكل وثيق مع شركات أخرى لم تُحددها لطرح هذه التقنية في السوق.

بشكل عام، يُعد إطلاق ذاكرة DDR5 DRAM من سامسونج بتقنية 12 نانومتر وسعة 16 جيجابايت إنجازًا هامًا في تطوير حلول الذاكرة عالية الأداء. ومن المتوقع أن توفر استهلاكًا أقل للطاقة، وسرعات أعلى، وإنتاجية مُحسّنة، مما يجعلها خيارًا جذابًا للتطبيقات عالية الأداء مثل مراكز البيانات، والذكاء الاصطناعي، وبرمجة الجيل التالي. على الرغم من أن سعة رقائق الذاكرة لا تزال 16 جيجابايت ، إلا أن مزاياها المتوقعة تشمل كفاءة الطاقة، والسرعة، والفعالية من حيث التكلفة. ومن المرجح أن تشهد وحدات ذاكرة الوصول العشوائي هذه استخدامًا واسع النطاق في تطبيقات مختلفة خلال السنوات القادمة.