وفي هذا الإنجاز الجديد للصناعة، قال جوي يونغ لي، المدير التنفيذي لمنتجات وتقنية DRAM في شركة إن "استخدام". تقنية مختلفة بدلًا من لايت لصالح شركة Samsung تقدم شرائح DDR5 DRAM تقنية 12 نانومتر متفوقة في الأداء، ولكن على المستخدمين العاديين الانتظار للرامات DDR5 الجديدة، حيث يتم استخدامها في برامج زي مراكز وذكاء البيانات الاصطناعية والبرمجة من الجيل القادم.

وأوضحت سامسونج أن تطوير تقنية DRAM بتقنية 12nm قادرة على توفير جديد فقط من خلال الذاكرة العشوائية DRAM، وعن طريق استخدام محتوى جديد عالي وجهود لتقليل جهد التشغيل والضوضاء لحل مُحسَّن. وعلى الرغم من أن هذه الرقائق الرقائقية DRAM 16G، فهي مفيدة في توجيه الطاقة والسرعة والاقتصاد في المجالات. توافق Samsung على أن رامات DDR5 DRAM بتقنية 12nm واستهلاك الطاقة بنسبة 23% مقارنة بالجيل السابق، وعززت إنتاجية الرقائق بنسبة 20%.

و الرقاقات الموجودة في تكنولوجيا ODECC (رمز تصحيح الخطأ أثناء التشغيل) الطبقة العاملة في DDR5 تضمن ثقة البيانات وثباتها، وتفوز بقوة الأداء القوي. إن تقنية ODECC تثبت بالفعل أخطاءها، وهي المفردة الأكثر شعبية حتى مع طلبات الاستثمار القوية.

وبكدا سرعة 7200 ميجابت في الثانية في رامات DRAM غرضًا ملحوظًا، وأوضحت سامسونج أنه في النظرة، من الممكن توفير سرعة نقل فيلمين بدقة 30 جيجا بايت UHD في واحدة DRAM واحدة. ومع ذلك، فاستنتجت الشركة أن السرعة دى هي نفسها إلى أن تم استبدالها في الجيل السابق من رقائق DRAM بتقنية 14nm، وبكدا من السيطرة على إمكانية أن DDR5 DRAM الجديدة من تحقيق زيادة في السرعة في حالة الكسر.

بشكل عام، بدأ إنتاج Samsung لرامات DDR5 DRAM تكنولوجيا 12bm وسعة 16G يعد إنجازًا مهمًا في تطوير حلول الذاكرة عالية الأداء. ومن المتوقع أنها اختيارات الرمات لقضاء وقت محسن وسرعاتٍ أعلى إنتاجية أفضل، يخليها خيار مغرى لبرامج الأداء زي مراكز البيانات والذكاء الاصطناعي والبرمجه من الجيل القادم. وعلى الرغم من أن هذه الرقاقات الديناميكية الديناميكية لا تزال 16 جيجا، فهي تساهم في تنوع الطاقة والسرعة والاقتصاد في المجالات. ومن المتوقع أن يتم استخدام البرامج الواسعة في برامج مختلفة خلال السنوات الجاية.