وفي حديث عن هذا الإنجاز الصناعي، قال جوويونغ لي، المدير التنفيذي لمنتجات وتقنية DRAM في شركة سامسونج إن "استخدام تقنية عملية مختلفة جعل من الممكن لشركة Samsung تقديم رقاقات DDR5 DRAM بتقنية 12nm متفوقة في الأداء وكفاءة الطاقة". ولكن على المستخدمين العاديين الانتظار لاستخدام الرامات DDR5 الجديدة، حيث يتم استخدامها في برامج زى مراكز البيانات والذكاء الاصطناعي والبرمجه من الجيل القادم.

وضحت Samsung أن تطوير DRAM بتقنية 12nm تمكن بفضل جديد عالي الكفاءة في الذاكرة العشوائية DRAM، وعن طريق استخدام مواد جديدة عالية وجهود لخفض جهد التشغيل والضوضاء لتحقيق حل مُحسَّن. وعلى الرغم من أن سعة هذه الرقائق DRAM 16G، فإن فوائدها المتوقعة تتمثل في كفاءة الطاقة والسرعة واقتصاد الرامات. وأوضحت Samsung أن رامات DDR5 DRAM بتقنية 12nm تقلل استهلاك الطاقة بنسبة 23% مقارنة بالجيل السابق، وتعزز إنتاجية الرقائق بنسبة تصل إلى 20%.

و الرامات هتيجي بتقنية ODECC (رمز تصحيح الخطأ أثناء التشغيل) المطبقة في DDR5 في الحفاظ على موثوقية البيانات الآمنة والمستقرة ، للاستفادة الكاملة من الأداء القوي. تقضي تقنية ODECC فعليًا على أخطاء البت المفرد لتحسين الموثوقية حتى مع المتطلبات الشاقة للبيانات الضخمة.

وبكدا سرعة 7200Mbps في الرامات دى DRAM ميزة ملحوظة، وضحت Samsung أن في نظرية، ممكن توفر السرعة دى في نقل فيلمين بدقة 30GB UHD في ثانية واحدة DRAM. ومع ذلك، فا الشركة موضحتش أن السرعة دى هي نفسها الى تم الترويج ليها في الجيل السابق من رقائق DRAM بتقنية 14nm ، وبكدا منستبعدش إمكانية أن DDR5 DRAM الجديدة من تحقيق زيادة في السرعة في حالة الكسر.

بشكل عام، فإن بدء إنتاج Samsung لرامات DDR5 DRAM بتقنية 12bm وسعة 16G يعد إنجازاً مهم في تطوير حلول الذاكرة عالية الأداء. ومن المتوقع أنها تتوفر الرمات استهلاك للطاقة محسن وسرعاتٍ أعلى وإنتاجية أفضل، يخليها خيار مغرى لبرامج العالية الأداء زى مراكز البيانات والذكاء الاصطناعي والبرمجه من الجيل القادم. وعلى الرغم من أن سعة هذه الرقائق DRAM لا تزال 16G، فا فوائدها المتوقعة تتمثل في كفاءة الطاقة والسرعة واقتصاد الرامات. ومن المتوقع أن الرامات دى استخدام واسع في مختلف البرامج خلال السنوات الجاية.