ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) من سامسونج DDR4 سعة 8 جيجابايت وتردد 3200 ميجاهرتز CL21 لسطح المكتب (علبة)
داخل تجميعه
0.00 EGP
انتقل إلى معلومات المنتج
20000+ HAPPY CUSTOMERS
ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) من سامسونج DDR4 سعة 8 جيجابايت وتردد 3200 ميجاهرتز CL21 لسطح المكتب (علبة)
بضمان الوكيل المحلي لمدة سنة
0.00 EGP
حسّن أداء حاسوبك المكتبي مع وحدة ذاكرة سامسونج DDR4 CL21 بسعة 8 جيجابايت وتردد 3200 ميجاهرتز. صُممت هذه الذاكرة العشوائية (RAM) لضمان الموثوقية والسرعة، وتضمن سلاسة في تعدد المهام ومعالجة أسرع للبيانات. يُحسّن ترددها البالغ 3200 ميجاهرتز استجابة النظام، بينما يُوازن زمن الوصول CL21 بين الأداء والاستقرار. مثالية لترقية أو بناء أجهزة كمبيوتر مكتبية عالية الأداء، حيث تُقدم هذه الذاكرة المدمجة جودة ثابتة يثق بها المحترفون.
تحديد
| تردد الذاكرة | 3200 ميجا هرتز |
| يكتب | DDR4 |
| اسم العلامة التجارية | سامسونج |
| أصل | الصين القارية |
| رقم الموديل | M378A1K43EB2-CWED0 |
| نموذج |
M378A1K43EB2 |
| الإضاءة الخلفية | لا |
| لعبة | لا |
| الجهد االكهربى | 1.2 |
| الحجم الإجمالي، جيجا بايت | 8 |
| تردد الساعة، ميغاهرتز | 3200 |
| عرض النطاق الترددي، ميجابايت/ثانية | 25600 |
| زمن انتقال CAS (CL) | 21 |
| المشعاع | لا |